Marc D. Sacher

Broschiertes Buch

Magnetische Tunnelelementemit Halbmetall-Elektroden

Untersuchungen chemischer, magnetischer undelektronischer Eigenschaften derBarrieren/Elektroden-Grenzflächen

Beschreibung

Grundbaustein für neuartige Datenspeicher ist dasmagnetische Tunnelelement. Dieses besteht imWesentlichen aus zwei ferromagnetischen Elektroden,die durch eine dünne Isolatorschicht voneinandergetrennt sind. Der Widerstand des Isolators (der sogenannten Tunnelbarriere) hängt dabei von derrelativen Orientierungder Magnetisierung der beiden Ferromagnete ab. DieWiderstandsänderung wird Magnetowiderstandseffektgenannt. In erster Näherung hängt die Effektgröße vonder Wahl des Elektrodenmaterials ab. WerdenHalbmetalle verwendet, ergibt sich theoretisch eineunendlichgroße Widerstandsänderung. Im realen System hängtder Magnetowiderstandseffekt aber außerdem von derQualität der Elektroden, der Barriere und derenGrenzflächen ab. Diese Schrift befasst sich mit derOptimierung von Tunnelelementen mit halbmetallischenElektroden, wie das Eisenoxid Magnetit und dieHeusler-Legierungen Co2MnSi und Co2FeSi. Der Fokusliegt dabei auf einer Charakterisierung dermagnetischen, chemischen undelektronischen Eigenschaften derBarrieren/Elektroden-Grenzflächen. Das Buch gibtpraktische Hinweise für die erfolgreiche Präparationvon oben genannten magnetischen Tunnelelementen.

Autor

Sacher Marc D.§Marc D. Sacher studierte Physik an der UniBielefeld und promovierte dort mit der vorliegenden Schrift.Für die durchzuführenden Experimente schwärmte eraus, u.a. in das sonnige Kalifornien nach Berkeley an die AdvancedLight Source. Zur Zeit arbeitet er als Akademischer Rat a.Z. amLehrstuhl Molekül- und Oberflächenphysik der Uni Bielefeld.

Produktdetails

• Verlag: VDM Verlag Dr. Müller / VDM Verlag Dr. Müller e.K.
• Seitenzahl: 272
• Deutsch
• Abmessung: 16mm x 150mm x 220mm
• Gewicht: 421g
• ISBN-13: 9783639032772
• ISBN-10: 3639032772
• Artikelnr.: 24865098