Grundbaustein für neuartige Datenspeicher ist dasmagnetische Tunnelelement. Dieses besteht imWesentlichen aus zwei ferromagnetischen Elektroden,die durch eine dünne Isolatorschicht voneinandergetrennt sind. Der Widerstand des Isolators (der sogenannten Tunnelbarriere) hängt dabei von derrelativen Orientierungder Magnetisierung der beiden Ferromagnete ab. DieWiderstandsänderung wird Magnetowiderstandseffektgenannt. In erster Näherung hängt die Effektgröße vonder Wahl des Elektrodenmaterials ab. WerdenHalbmetalle verwendet, ergibt sich theoretisch eineunendlichgroße Widerstandsänderung. Im realen System hängtder Magnetowiderstandseffekt aber außerdem von derQualität der Elektroden, der Barriere und derenGrenzflächen ab. Diese Schrift befasst sich mit derOptimierung von Tunnelelementen mit halbmetallischenElektroden, wie das Eisenoxid Magnetit und dieHeusler-Legierungen Co2MnSi und Co2FeSi. Der Fokusliegt dabei auf einer Charakterisierung dermagnetischen, chemischen undelektronischen Eigenschaften derBarrieren/Elektroden-Grenzflächen. Das Buch gibtpraktische Hinweise für die erfolgreiche Präparationvon oben genannten magnetischen Tunnelelementen.