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A monografia é dedicada aos problemas e possibilidades de utilização do silício para criar dispositivos e dispositivos de nanoelectrónica e fotoenergia. São dadas representações de efeitos quantum-dimensionais. Possibilidades da sua manifestação em elementos e estruturas de silício, bem como limitações físicas. Principais indicadores técnicos e operacionais: a tecnologia de obtenção de material semicondutor com células elementares AII BVI e AIII BV na malha de silício, dependendo da sua composição e estrutura, como um novo material promissor para a fotoenergia e fotônica. Os autores expressam sua especial gratidão ao Acadêmico da Academia de Ciências da República do Uzbequistão M.K.Bakhadyrkhanov pela assistência oportuna no campo científico e apoio prático na redação desta monografia. São consideradas as possibilidades tecnológicas mais promissoras para a formação de estruturas de silício em nanoescala.