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La monografía está dedicada a los problemas y posibilidades del uso del silicio para crear dispositivos y aparatos de nanoelectrónica y fotoenergía. Se dan representaciones de los efectos cuánticos-dimensionales. Posibilidades de su manifestación en elementos y estructuras de silicio, así como limitaciones físicas. Principales indicadores de diseño y técnicos y operacionales: la tecnología de obtención de material semiconductor con células elementales AII BVI y AIII BV en la red de silicio, según su composición y estructura, como nuevo material prometedor para la fotoenergía y la fotónica. Los autores expresan su especial agradecimiento al Académico de la Academia de Ciencias de la República de Uzbekistán M. K. Bakhadyrkhanov por la oportuna asistencia en el ámbito científico y el apoyo práctico en la redacción de esta monografía. Se examinan las posibilidades tecnológicas más prometedoras para la formación de estructuras de silicio a nanoescala.