Materiali a film sottile per applicazioni fotovoltaiche
Simulazione numerica e ottimizzazione sotto SCAPS-1D delle proprietà del 3C-SiC
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Lo scopo di questo lavoro è studiare la possibilità di applicare nella tecnologia fotovoltaica un materiale semiconduttore binario con il Silicio come semiconduttore più reattivo nella tecnologia delle celle solari. Il carburo di silicio contiene un conduttore importante e ampiamente utilizzato non solo per le sue proprietà fisiche ma anche per le sue proprietà fotovoltaiche che possono essere sfruttate nella fabbricazione di celle nello sviluppo di materiali semiconduttori per la tecnologia fotovoltaica. Lo studio si concentra su un componente binario silicio-carbonio a partire dalla pro...
Lo scopo di questo lavoro è studiare la possibilità di applicare nella tecnologia fotovoltaica un materiale semiconduttore binario con il Silicio come semiconduttore più reattivo nella tecnologia delle celle solari. Il carburo di silicio contiene un conduttore importante e ampiamente utilizzato non solo per le sue proprietà fisiche ma anche per le sue proprietà fotovoltaiche che possono essere sfruttate nella fabbricazione di celle nello sviluppo di materiali semiconduttori per la tecnologia fotovoltaica. Lo studio si concentra su un componente binario silicio-carbonio a partire dalla prospezione fondamentale delle proprietà strutturali ed elettroniche del SiC sotto il codice Wien2k; una simulazione numerica con SCAPS-1D di due forme di PN e PiN basate su SiC e 3C-SiC ha presentato più precisamente un processo adeguato per la scelta del materiale più appropriato come strato trasparente con questo materiale e rendendo così possibile una migliore resa di questa cella fotovoltaica che supera il 20%. Lo studio di alcuni parametri che giocano un ruolo importante nel miglioramento della
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