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La monografia è dedicata ai problemi e alle possibilità di utilizzare il silicio per creare dispositivi e dispositivi di nanoelettronica e fotoenergia. Sono fornite rappresentazioni di effetti quantistici-dimensionali. Possibilità della loro manifestazione in elementi e strutture in silicio, così come limitazioni fisiche. Principali design e indicatori tecnici e operativi: la tecnologia per ottenere materiale semiconduttore con celle elementari AII BVI e AIII BV nel reticolo di silicio, a seconda della loro composizione e struttura, come nuovo materiale promettente per la fotoenergia e la fotonica. Gli autori esprimono la loro particolare gratitudine all'Accademico dell'Accademia delle Scienze della Repubblica dell'Uzbekistan M.K.Bakhadyrkhanov per l'assistenza tempestiva in campo scientifico e il supporto pratico nella stesura di questa monografia. Sono state prese in considerazione le più promettenti possibilità tecnologiche per la formazione di strutture in silicio su scala nanometrica.