Mécanisme de dépôt de couches minces
Déposition par pulvérisation cathodique
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Ce livre porte sur l'étude de dépôt de couches minces par la pulvérisation cathodique qui présente la partie la plus utilisée dans le processus de dépôt physique en phase vapeur PVD (physical vapor deposition).L'énergie et le nombre de particules arrivant au substrat au cours du dépôt physique en phase vapeur (PVD) sont aussi en étroite relation avec divers paramètres. Dans ce travail, nous présentons l'influence de la distance cible-substrat et la pression de gaz dans le procède de pulvérisation de couches déposées de métaux (Cu, Al et Ag) et de semi-conducteurs (Ge, Te et ...
Ce livre porte sur l'étude de dépôt de couches minces par la pulvérisation cathodique qui présente la partie la plus utilisée dans le processus de dépôt physique en phase vapeur PVD (physical vapor deposition).L'énergie et le nombre de particules arrivant au substrat au cours du dépôt physique en phase vapeur (PVD) sont aussi en étroite relation avec divers paramètres. Dans ce travail, nous présentons l'influence de la distance cible-substrat et la pression de gaz dans le procède de pulvérisation de couches déposées de métaux (Cu, Al et Ag) et de semi-conducteurs (Ge, Te et Si) pour un diamètre de substrat de 50 cm et un diamètre cible de 5 cm. Le flux de pulvérisation naissante, le flux des atomes et leur énergie arrivant sur le substrat ont été simulés par un autre code Monte Carlo appelé SIMTRA (Simulation of Metal Transport). On obtient un ban accord entre les travaux antérieurs d'autres groupes et nos simulations pour les pressions de pulvérisation (0,3 à 1 Pa) et les distances de substrat-cible (10-50 cm).
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