Medidas fotovoltaicas del silicio dopado con manganeso y azufre
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El estudio de la fotoconductividad eléctrica, así como de los espectros de absorción óptica del silicio dopado con diversas impurezas es de especial interés para el desarrollo de muestras prometedoras de fotocélulas de silicio con sensibilidad espectral ampliada, en particular en la región infrarroja. En este trabajo se presentan los resultados de los estudios de los espectros de fotoconductividad, así como de las mediciones eléctricas de la tensión en vacío y la corriente de cortocircuito de muestras de silicio monocristalino, aleado con impurezas de manganeso y azufre con eliminac...
El estudio de la fotoconductividad eléctrica, así como de los espectros de absorción óptica del silicio dopado con diversas impurezas es de especial interés para el desarrollo de muestras prometedoras de fotocélulas de silicio con sensibilidad espectral ampliada, en particular en la región infrarroja. En este trabajo se presentan los resultados de los estudios de los espectros de fotoconductividad, así como de las mediciones eléctricas de la tensión en vacío y la corriente de cortocircuito de muestras de silicio monocristalino, aleado con impurezas de manganeso y azufre con eliminación de la superficie capa por capa. También se ofrece una revisión de diversos enfoques para aumentar la eficiencia de la fotoconversión. El libro puede ser de interés para investigadores en el campo de la física del estado sólido, desarrolladores de fotocélulas, así como estudiantes de física de semiconductores.
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