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Este libro describe el concepto de diseño de SRAM en tecnologías FinFET utilizando características únicas de dispositivos de doble compuerta no planares. Se explorará el espacio de parámetros necesario para diseñar FinFETs. Se presentarán diversas técnicas de diseño de SRAM que explotan las ventajas de las configuraciones controladas por compuerta unida y compuerta independiente. Se comparan el rendimiento, la potencia y la estabilidad de las SRAM de los dispositivos FinFET con sus homólogos CMOS planares convencionales. También se presentará el modelado de la variabilidad de los FinFET mediante estadísticas. El dispositivo MOSFET se comparó tanto con polisilicio como con molibdeno como material de puerta y el dispositivo FinFET se diseñó con diferentes materiales de puerta como oro, tungsteno, tantalio y molibdeno y los resultados se compararon con los dispositivos de polisilicio como material de puerta.
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