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Este livro descreve o conceito de conceção de SRAM em tecnologias FinFET utilizando caraterísticas únicas de dispositivos não planares de dupla porta. Será explorado o espaço de parâmetros necessário para a conceção de FinFETs. Serão apresentadas várias técnicas de conceção de SRAM que exploram as vantagens das configurações controladas por porta ligada e porta independente. O desempenho, a potência e a estabilidade da SRAM para dispositivos FinFET são comparados com os dispositivos CMOS planares convencionais. Também será apresentada a modelação da variabilidade dos FinFETs através de estatísticas. O dispositivo MOSFET foi comparado com o poli-silício e o molibdénio como material de porta e o dispositivo FinFET foi concebido com diferentes materiais de porta, como o ouro, o tungsténio, o tântalo e o molibdénio, e os resultados foram comparados com os dispositivos com material de porta de poli-silício.
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