Metall-Si(1-h) Ge(h) perehody na osnowe Al, Au, Ni i Ti
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 6-10 Tagen
27,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
14 °P sammeln!
Kak izwestno, na osnowe perehodow metall-poluprowodnik (MP) i metall-diälektrik-poluprowodnik (MDP) sozdaütsq sowremennye mikroshemy i älektronnye komponenty. V takih MP i MDP strukturah sostoqnie powerhnosti poluprowodnika, ego odnorodnost' i fazowyj sostaw igraüt opredelqüschuü rol' w formirowanii änergeticheskogo bar'era. Imeüschiesq literaturnye dannye nosqt protiworechiwyj harakter - s rostom soderzhaniq germaniq w monokristallah Si(1-x)Ge(x) nablüdaetsq kak rost wysoty bar'era, tak i ego umen'shenie. Issledowannye w rabote struktury sozdawalis' putem wakuumnogo termicheskogo nap...
Kak izwestno, na osnowe perehodow metall-poluprowodnik (MP) i metall-diälektrik-poluprowodnik (MDP) sozdaütsq sowremennye mikroshemy i älektronnye komponenty. V takih MP i MDP strukturah sostoqnie powerhnosti poluprowodnika, ego odnorodnost' i fazowyj sostaw igraüt opredelqüschuü rol' w formirowanii änergeticheskogo bar'era. Imeüschiesq literaturnye dannye nosqt protiworechiwyj harakter - s rostom soderzhaniq germaniq w monokristallah Si(1-x)Ge(x) nablüdaetsq kak rost wysoty bar'era, tak i ego umen'shenie. Issledowannye w rabote struktury sozdawalis' putem wakuumnogo termicheskogo napyleniq sloew metallow (Al,Au,Ni i Ti) na powerhnost' monokristallow Si(1-x)Ge(x) s razlichnoj koncentraciej powerhnostnyh sostoqnij Nss, welichina kotoroj zawisela ot rezhima himicheskogo trawleniq monokristallow. Pokazano, chto pri bol'shoj koncentracii Nss wysota bar'era, pochti ne zawisit ot tipa metallow. V obrazcah s maloj koncentraciej Nss wysota bar'era rastet s rostom soderzhaniq germaniq w kristallah i dostigaet do ~1äV (rekordnaq welichina dlq materiala na osnowe kremniq). Kniga prednaznachena dlq specialistow w oblasti poluprowodnikowogo materialowedeniq.
Andere Kunden interessierten sich für
