Przeprowadzono obliczenia obliczeniowe strat energii i profili uszkodze¿ przy implantacji jonów galu i arsenu niezale¿nie od amorficznego germanu podczas implantacji jonów. Wymagane energie do dopingu jonu galu i jonu arsenu na germanie, w celu uzyskania maksymalnej szkody na 600 Å, zostäy obliczone przy u¿yciu SRIM. Te energie po wszczepieniu niezale¿nie na german powoduje produkcj¿ cewek germanu, pary wakat-interstitial i fononów podczas procesu kolizji. Dla 130 keV jonu galu energia zu¿yta na jonizacj¿, produkcj¿ telefonów i tworzenie wakatów wynosi odpowiednio 37,713 keV (29,01%), 90,006 keV (64,29%) i 8,71 keV (6,7%), natomiast dla 140 keV jonu arsenu zu¿ycie energii na jonizacj¿, produkcj¿ telefonów i tworzenie wakatów wynosi odpowiednio 39,634 keV (28,31%), 90,888 keV (64,92%) i 9,478 keV (6,77%). Ocenia si¿ równie¿ wielko¿¿ docelowych przemieszcze¿, kolizji zast¿pstw i wakatów.
Bitte wählen Sie Ihr Anliegen aus.
Rechnungen
Retourenschein anfordern
Bestellstatus
Storno