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È stato effettuato il calcolo computazionale dei profili di perdita di energia e di danno quando impiantato da ioni gallio e arsenico in modo indipendente su germanio amorfo durante l'impianto ionico. Le energie necessarie per il doping dello ione gallio e dello ione arsenico sul germanio, al fine di ottenere il massimo danno a 600 Å, sono state calcolate utilizzando SRIM. Queste energie, se impiantate indipendentemente sul germanio, causano la produzione di rinculo del germanio, di coppie interstiziali vuote e di fononi durante il processo di collisione. Per lo ione gallio 130 keV, l'energia utilizzata per la ionizzazione, la produzione di phon e la creazione di posti vacanti sono rispettivamente 37.713 keV (29,01%), 90.006 keV (64,29%) e 8.71 keV (6,7%), mentre, per lo ione arsenico 140 keV, il consumo di energia per la ionizzazione, la produzione di phon e la creazione di posti vacanti sono rispettivamente 39.634 keV (28,31%), 90.888 keV (64,92%) e 9.478 keV (6,77%). Si valuta anche la quantità di spostamento dell'obiettivo, le collisioni di sostituzione e i posti vacanti.