Loretta Onon'e

Mikrostruktura sapfira s ionnoj implantaciej

Vliqnie temperatury implantacii i ioniziruüschego izlucheniq na mikrostrukturu sapfira s ionnoj implantaciej

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

Nauka o tehnologii ionnoj implantacii swqzana s modifikaciej swojstw blizhnej powerhnosti shirokogo spektra materialow. Tehnologiq obespechiwaet otlichnyj kontrol' parametrow implantacii, takih kak diapazon dozy, änergiq ionnyh widow i temperatura implantacii. Obrazcy al'fa-al'fa-2O3 (sapfir) obluchalis' pri komnatnoj temperature (KT) i temperature 1000 gradusow S do flüensa 1h10^17 V+/sm^2, 3h10^16 N+/sm^2 i 1h10^17 F+/sm^2 s änergiej 150 käV. Posle oblucheniq struktury izuchali s pomosch'ü proswechiwaüschej älektronnoj mikroskopii (PJeM), Rezerfordskoj spektroskopii obratnogo rasseqniq - ionnogo kanalirowaniq (RBS-C), izmerenij opticheskogo pogloscheniq, tehniki rentgenowskoj difrakcii (RRD) i rentgenowskoj fotoälektronnoj spektroskopii (RFS). Zawisimye ot glubiny mikrostruktury obluchaemyh obrazcow, änergiq, osazhdennaq (uprugaq i neuprugaq) kak funkciq glubiny ot powerhnosti, diapazon implantiruemyh widow i proizwodstwo defektow modelirowalis' s pomosch'ü programmy perenosa i diapazona ionow w materialah (TRIM).

Produktdetails

• Verlag: Sciencia Scripts
• Seitenzahl: 180
• Erscheinungstermin: 1. April 2022
• Russisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 11mm
• Gewicht: 286g
• ISBN-13: 9786203340532
• ISBN-10: 6203340537
• Artikelnr.: 63691595

Autorenporträt

Loretta K. Ononi - docent fiziko-tehnicheskogo fakul'teta N'ü-Jorxkogo uniwersiteta w Kantone, shtat N'ü-Jork. Ona poluchila doktorskuü stepen' w oblasti materialowedeniq i inzhenerii w Uniwersitete Tennessi w Noxwille.