Nauka o technologii implantacji jonowej zajmuje si¿ modyfikacj¿ w¿äciwo¿ci przypowierzchniowych szerokiej gamy materiäów. Technika ta zapewnia doskonä¿ kontrol¿ parametrów implantacji, takich jak zakres dawki, energia jonów oraz temperatura implantacji. Próbki alfa-Al2O3 (szafir) napromieniowano w temperaturze pokojowej (RT) i 1000 stopni C fluencjami 1x10^17 B+/cm^2, 3x10^16 N+/cm^2 i 1x10^17 Fe+/cm^2 o energii 150 keV. Po napromieniowaniu, struktury by¿y badane za pomoc¿ transmisyjnej mikroskopii elektronowej (TEM), spektroskopii Rutherforda (RBS-C), pomiarów absorpcji optycznej, dyfrakcji rentgenowskiej (XRD) i spektroskopii fotoelektronów (XPS). Mikrostruktury napromieniowanych próbek, zdeponowana energia (spr¿¿ysta i nieelastyczna) w funkcji g¿¿boko¿ci od powierzchni, zakres implantowanych gatunków oraz produkcja defektów by¿y modelowane przy u¿yciu programu transport and range of ions in materials (TRIM).
Bitte wählen Sie Ihr Anliegen aus.
Rechnungen
Retourenschein anfordern
Bestellstatus
Storno