Mikrowelleneffekt an Nitrid-Halbleitern bei hoher Temperatur
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Das Projekt dieser Arbeit ist die Untersuchung des Mikrowelleneffekts auf Nitridkeramiken bei hoher Temperatur. Drei Proben von Nitriden werden für diese Untersuchung verwendet. Aluminiumnitrid, AlN, Siliziumnitrid, SiN, und Bornitrid, BN. Die Mikrowellen-Dielektrizitätseigenschaften der drei Proben werden mit einer computergestützten Hohlraumstörungstechnik in den Frequenzbereichen 615 MHz, 1412 MHz, 2214 MHz, 3018 MHz und 3820 MHz bei einer Temperatur von 25 oC bis 2000 oC gemessen. Der Mikrowelleneffekt auf diese Proben kann durch die Beobachtung der Variation der Real- und Imaginärtei...
Das Projekt dieser Arbeit ist die Untersuchung des Mikrowelleneffekts auf Nitridkeramiken bei hoher Temperatur. Drei Proben von Nitriden werden für diese Untersuchung verwendet. Aluminiumnitrid, AlN, Siliziumnitrid, SiN, und Bornitrid, BN. Die Mikrowellen-Dielektrizitätseigenschaften der drei Proben werden mit einer computergestützten Hohlraumstörungstechnik in den Frequenzbereichen 615 MHz, 1412 MHz, 2214 MHz, 3018 MHz und 3820 MHz bei einer Temperatur von 25 oC bis 2000 oC gemessen. Der Mikrowelleneffekt auf diese Proben kann durch die Beobachtung der Variation der Real- und Imaginärteilmessungen, ' und '', der dielektrischen Eigenschaften im Mikrowellenfrequenzbereich bei hoher Temperatur bestimmt werden. Weitere Klarheit erhält man durch die Berechnung der temperatur- und frequenzabhängigen elektrischen Leitfähigkeit, s, des Frequenzexponenten n und der Aktivierungsenergie, EA, in den gleichen Mikrowellenfrequenz- und Temperaturbereichen.
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