Minimizzazione della potenza dinamica attraverso modifiche strutturali e tecniche Vt - Dayadi, Lakshmaiah;M. V., Subramanyam;Kodati, Satya Prasad
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Nell'ultimo decennio, il design a bassa potenza e ad alta efficienza energetica della Very Large Scale Integration è stato il punto focale per la ricerca e lo sviluppo attivo. La rapida scalabilità della tecnologia, la crescente capacità di integrazione e la dissipazione della potenza di dispersione sono i fattori che contribuiscono all'aumento della complessità della moderna progettazione VLSI. La scalatura della tensione è uno dei modi più efficienti per ridurre la potenza e l'energia nei circuiti VLSI. Grazie alla ridotta tensione di soglia, la velocità di commutazione diventa più veloce,…mehr

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Produktbeschreibung
Nell'ultimo decennio, il design a bassa potenza e ad alta efficienza energetica della Very Large Scale Integration è stato il punto focale per la ricerca e lo sviluppo attivo. La rapida scalabilità della tecnologia, la crescente capacità di integrazione e la dissipazione della potenza di dispersione sono i fattori che contribuiscono all'aumento della complessità della moderna progettazione VLSI. La scalatura della tensione è uno dei modi più efficienti per ridurre la potenza e l'energia nei circuiti VLSI. Grazie alla ridotta tensione di soglia, la velocità di commutazione diventa più veloce, la corrente di dispersione attiva viene aumentata. È necessaria una tecnica per gestire dinamicamente la corrente di dispersione attiva, che riduce la dissipazione di energia nei circuiti VLSI a diversi circuiti con diversi livelli di complessità. Man mano che la tecnologia entra in scala nel regime di tecnologia deep sub micron, la potenza di dispersione sub soglia aumenta in modo esponenziale con la riduzione della tensione di soglia. Di conseguenza, diventano necessarie tecniche efficaci di minimizzazione delle perdite e della potenza dinamica.
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Autorenporträt
El Dr. Dayadi Lakshmaiah, profesor de ingeniería electrónica y de comunicaciones, trabaja actualmente en el Instituto de Ingeniería y Tecnología de Sri Indu, Hyderabad, India. Obtuvo su doctorado en el JNTUK, Kakinada. Estudió el M.Tech JNTU anantapur (campus), recibió su B.Tech del Instituto Nacional de Tecnología de Warangal (RECW).