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Lo studio della fotoconduttività elettrica e degli spettri di assorbimento ottico del silicio drogato con varie impurità è di particolare interesse per lo sviluppo di promettenti campioni di fotocellule al silicio con sensibilità spettrale estesa, in particolare nella regione dell'infrarosso. In questo lavoro vengono presentati i risultati degli studi sugli spettri della fotoconduttività, nonché le misure elettriche della tensione a vuoto e della corrente di cortocircuito di campioni di silicio monocristallino, legati con impurità di manganese e zolfo con rimozione strato per strato della superficie. Viene inoltre fornita una rassegna di vari approcci per aumentare l'efficienza della fotoconversione. Il libro può interessare i ricercatori nel campo della fisica dello stato solido, gli sviluppatori di fotocellule e gli studenti di fisica dei semiconduttori.