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Nos circuitos electrónicos de baixa potência e alta velocidade, são necessários dispositivos com caraterísticas mais acentuadas. A velocidade do dispositivo aumenta com caraterísticas IV mais acentuadas, e a baixa potência é conseguida através do funcionamento do dispositivo na região sublimiar. A medição de correntes na região do sublimiar é um grande desafio. Para conseguir uma comutação elevada, é necessário propor um novo dispositivo com as vantagens combinadas do FinFET e do TFET. Esta tese propõe um dispositivo híbrido com um valor SS …mehr

Produktbeschreibung
Nos circuitos electrónicos de baixa potência e alta velocidade, são necessários dispositivos com caraterísticas mais acentuadas. A velocidade do dispositivo aumenta com caraterísticas IV mais acentuadas, e a baixa potência é conseguida através do funcionamento do dispositivo na região sublimiar. A medição de correntes na região do sublimiar é um grande desafio. Para conseguir uma comutação elevada, é necessário propor um novo dispositivo com as vantagens combinadas do FinFET e do TFET. Esta tese propõe um dispositivo híbrido com um valor SS < 25 mV/Dec. O Synopsis Centaurus TCAD é utilizado nesta tese para a modelação e caraterização do dispositivo.
Autorenporträt
O Dr. Ajay Kumar Dharmireddy concluiu o doutoramento na Universidade GITAM. Mestrado em Design VLSI pelo Instituto de Tecnologia Bannari Amman, Sathyamagalam. Licenciado em Tecnologia pela BVCIT&S, Amalapuram, afiliada à JNTUH, e atualmente a trabalhar como Professor Associado na Faculdade de Engenharia SIR.C.R. Reddy, Eluru, Andhra Pradesh