Modellazione e caratterizzazione di dispositivi ibridi - Dharmireddy, Ajaykumar;Ijjada, Sreenivasa rao
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Nei circuiti elettronici a bassa potenza e alta velocità, sono richiesti dispositivi con caratteristiche più ripide. La velocità del dispositivo aumenta con caratteristiche IV più ripide e la bassa potenza si ottiene facendo funzionare il dispositivo nella regione di sottosoglia. La misura delle correnti nella regione di sottosoglia rappresenta una grande sfida. Per ottenere una commutazione elevata, è necessario proporre un nuovo dispositivo con i vantaggi combinati di FinFET e TFET. Questa tesi propone un dispositivo ibrido con un valore SS …mehr

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Produktbeschreibung
Nei circuiti elettronici a bassa potenza e alta velocità, sono richiesti dispositivi con caratteristiche più ripide. La velocità del dispositivo aumenta con caratteristiche IV più ripide e la bassa potenza si ottiene facendo funzionare il dispositivo nella regione di sottosoglia. La misura delle correnti nella regione di sottosoglia rappresenta una grande sfida. Per ottenere una commutazione elevata, è necessario proporre un nuovo dispositivo con i vantaggi combinati di FinFET e TFET. Questa tesi propone un dispositivo ibrido con un valore SS < 25 mV/Dec. In questa tesi è stato utilizzato il TCAD Centaurus per la modellazione e la caratterizzazione del dispositivo.
Autorenporträt
El Dr. Ajay Kumar Dharmireddy se doctoró en la Universidad GITAM. Máster en Diseño VLSI por el Instituto de Tecnología Bannari Amman, Sathyamagalam. B.Tech grado de BVCIT&S, Amalapuram, afiliado a JNTUH, y actualmente trabaja como profesor asociado en SIR.C.R. Reddy Colegio de Ingeniería, Eluru, Andhra Pradesh.