Modélisation compacte d'une mémoire non-volatile à nanotube de carbone - Liao, Si-Yu
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Afin de permettre de développer un modèle de mémoire non-volatile basée sur le transistor à nanotube de carbone à commande optique qui est utilisée dans des circuits électroniques neuromorphiques, il est nécessaire de comprendre les physiques électroniques et optoélectroniques des nanotubes de carbone, en particulier l'origine de l'effet mémoire que présente ces transistors. C'est dans ce contexte général que cette thèse s'intègre. Le travail est mené sur trois plans: i) Caractériser électriquement et optoélectroniquement des structures de test des CNTFETs et des OG-CNTFETs. ii) Développer un…mehr

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Produktbeschreibung
Afin de permettre de développer un modèle de mémoire non-volatile basée sur le transistor à nanotube de carbone à commande optique qui est utilisée dans des circuits électroniques neuromorphiques, il est nécessaire de comprendre les physiques électroniques et optoélectroniques des nanotubes de carbone, en particulier l'origine de l'effet mémoire que présente ces transistors. C'est dans ce contexte général que cette thèse s'intègre. Le travail est mené sur trois plans: i) Caractériser électriquement et optoélectroniquement des structures de test des CNTFETs et des OG-CNTFETs. ii) Développer un modèle compact pour les contacts Schottky dans les transistors à nanotube de carbone de la façon auto-cohérente basé sur le diamètre et la nature du métal d'électrode en utilisant la méthode de la barrière effective avec les paramètres nécessaires calibrés. iii) Modéliser l'OG-CNTFET selon les régimes de fonctionnement, lecture, écriture, effacement ou programmation pour application à une mémoire non-volatile en intégrant le mécanisme de piégeage et dépiégeage à l'interface polymère/oxyde.
Autorenporträt
Si-Yu Liao was born in Wuhan, China, in 1981. He received the MSc and PhD degrees in Electronics Engineering from theUniversity of Bordeaux 1, France, in 2007 and 2011, respectively.His PhD researches deals with the compact modeling of carbonnanotube FET based non-volatile memories including Schottkycontact and chalcogenide based RAMs.