Modélisation des dispositifs planaires micro-ondes anisotropes
Application aux circuits multicouches
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La conception des circuits à haute intégration associée à une miniaturisation accélérée, constitue la principale tendance actuelle de l industrie des circuits RF et micro-ondes, conduisant à des contraintes sévères lors de la réalisation. De nombreuses méthodes numériques ont été développées pour l'analyse de ces circuits. Une fois réalisés, il devient difficile de les retoucher en cas d imperfection d où la nécessité de disposer de méthodes précises qui incluent les effets des matériaux et de la propagation. C est ainsi que le caractère anisotrope peut être introdui...
La conception des circuits à haute intégration associée à une miniaturisation accélérée, constitue la principale tendance actuelle de l industrie des circuits RF et micro-ondes, conduisant à des contraintes sévères lors de la réalisation. De nombreuses méthodes numériques ont été développées pour l'analyse de ces circuits. Une fois réalisés, il devient difficile de les retoucher en cas d imperfection d où la nécessité de disposer de méthodes précises qui incluent les effets des matériaux et de la propagation. C est ainsi que le caractère anisotrope peut être introduit involontairement lors du processus de fabrication ou de manière délibérée pour réaliser certaines fonctions électroniques en hyperfréquences (circulateurs, isolateurs etc.). Négliger l anisotropie conduit à introduire des erreurs significatives dans la conception. Dans ce cadre, notre travail consiste à proposer une modélisation globale des circuits passifs hyperfréquences anisotropes en configuration multicouche par la méthode d'approche dans le domaine spectral. L approche proposée a été largement validée par comparaison aux résultats disponibles dans les revues spécialisées des micro-ondes.
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