29,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 6-10 Tagen
  • Broschiertes Buch

No panorama em constante evolução da tecnologia de semicondutores, a procura de dispositivos mais pequenos, mais rápidos e mais eficientes tem sido a força motriz da inovação. Entre os inúmeros avanços, o aparecimento do transístor de efeito de campo de semicondutores de óxido metálico e semicondutor (MOSFET) sem junção (GAA) destaca-se como um marco transformador. Este livro explora o MOSFET GAA sem junção, um avanço que promete redefinir os limites do design convencional de transístores. Desde a sua génese concetual até às suas implicações práticas em diversas indústrias, este livro pretende…mehr

Produktbeschreibung
No panorama em constante evolução da tecnologia de semicondutores, a procura de dispositivos mais pequenos, mais rápidos e mais eficientes tem sido a força motriz da inovação. Entre os inúmeros avanços, o aparecimento do transístor de efeito de campo de semicondutores de óxido metálico e semicondutor (MOSFET) sem junção (GAA) destaca-se como um marco transformador. Este livro explora o MOSFET GAA sem junção, um avanço que promete redefinir os limites do design convencional de transístores. Desde a sua génese concetual até às suas implicações práticas em diversas indústrias, este livro pretende desvendar os meandros desta tecnologia de ponta. Com uma mistura de conhecimentos técnicos, aplicações práticas e perspectivas de futuro, procura iluminar o caminho para um futuro em que os MOSFETs GAA sem junção desempenham um papel fundamental na definição do panorama dos semicondutores.
Autorenporträt
Rajni Gautam a obtenu un doctorat, une maîtrise et une licence en électronique de l'université de Delhi (Inde) en 2014, 2009 et 2007 respectivement. Elle a publié 16 articles dans des revues internationales de renom et 15 articles dans des conférences internationales. Son nombre total de citations est de 338 avec un h-index de 10.