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En el panorama en constante evolución de la tecnología de semiconductores, la búsqueda de dispositivos más pequeños, más rápidos y más eficientes ha sido una fuerza impulsora de la innovación. Entre los innumerables avances, destaca como hito transformador la aparición del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET) sin juntura (GAA). Este libro explora el MOSFET GAA sin juntura, un avance que promete redefinir los límites del diseño convencional de transistores. Desde su génesis conceptual hasta sus implicaciones prácticas en diversos sectores, este libro pretende…mehr

Produktbeschreibung
En el panorama en constante evolución de la tecnología de semiconductores, la búsqueda de dispositivos más pequeños, más rápidos y más eficientes ha sido una fuerza impulsora de la innovación. Entre los innumerables avances, destaca como hito transformador la aparición del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET) sin juntura (GAA). Este libro explora el MOSFET GAA sin juntura, un avance que promete redefinir los límites del diseño convencional de transistores. Desde su génesis conceptual hasta sus implicaciones prácticas en diversos sectores, este libro pretende desentrañar los entresijos de esta tecnología de vanguardia. Con una mezcla de conocimientos técnicos, aplicaciones prácticas y perspectivas de futuro, pretende iluminar el camino hacia un futuro en el que los MOSFET GAA sin Juntura desempeñen un papel fundamental en la configuración del panorama de los semiconductores.
Autorenporträt
Rajni Gautam a obtenu un doctorat, une maîtrise et une licence en électronique de l'université de Delhi (Inde) en 2014, 2009 et 2007 respectivement. Elle a publié 16 articles dans des revues internationales de renom et 15 articles dans des conférences internationales. Son nombre total de citations est de 338 avec un h-index de 10.