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Os avanços na tecnologia de fabrico high-k permitiram enormes taxas de progresso na indústria microeletrónica, melhorando o desempenho de transístores individuais e permitindo a integração de mais transístores num chip. Nos próximos anos, o MOS com high-k poderá ser o único a alterar os cenários de fabrico de pequenos transístores. Por conseguinte, os estudos sobre este dispositivo devem continuar com uma experimentação intensiva. O impacto do dielétrico high-k (TiO2) também é observado no transístor NMOS. Verifica-se que a corrente de fuga sublimiar diminui com o aumento da tensão limiar, o que reduz o consumo de energia e melhora assim o desempenho do transístor NMOS. A redução da fuga de porta e da oscilação sublimiar faz com que a estrutura NMOS de alto k seja uma forte alternativa para os futuros dispositivos MOS em nanoescala. Também se pode concluir da análise que, à medida que os dispositivos são reduzidos, a tensão de limiar diminui.