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Le calcul des profils de perte d'énergie et de dommages lors de l'implantation d'ions de gallium et d'arsenic indépendamment sur du germanium amorphe a été effectué. Les énergies nécessaires pour le dopage de l'ion gallium et de l'ion arsenic sur le germanium, afin d'obtenir un dommage maximal à 600 Å, ont été calculées à l'aide du SRIM. Ces énergies, lorsqu'elles sont implantées indépendamment sur le germanium, provoquent la production de reculs du germanium, de paires vacance-interstitielle et de phonons lors du processus de collision. Pour l'ion gallium à 130 keV, l'énergie utilisée pour l'ionisation, la production de phon et la création de postes vacants est respectivement de 37 713 keV (29,01 %), 90 006 keV (64,29 %) et 8,71 keV (6,7 %), tandis que pour l'ion arsenic à 140 keV, la consommation d'énergie pour l'ionisation, la production de phon et la création de postes vacants est respectivement de 39 634 keV (28,31 %), 90 888 keV (64,92 %) et 9 478 keV (6,77 %). Le nombre de déplacements de cibles, de collisions de remplacement et de postes vacants est également évalué.