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Foi efectuado um cálculo computacional dos perfis de perdas e danos energéticos quando implantados por gálio e iões de arsénico independentemente em germânio amorfo durante a implantação de iões. As energias necessárias para a dopagem do íon de gálio e do íon de arsênico no germânio, a fim de obter um dano máximo de 600 Å, foram calculadas usando SRIM. Estas energias quando implantadas independentemente sobre o germânio causam a produção de bobinas de germânio, pares de inércia de vacância e fones durante o processo de colisão. Para 130 keV íon de gálio, a energia utilizada para ionização, produção de fonos e criação de vagas são 37.713 keV (29,01%), 90.006 keV (64,29%) e 8.71 keV (6,7%) respectivamente, enquanto que, para 140 keV íon de arsênico, o consumo de energia para ionização, produção de fonos e criação de vagas são 39.634 keV (28,31%), 90.888 keV (64,92%) e 9.478 keV (6,77%) respectivamente. A quantidade de deslocamento alvo, colisões de reposição e vagas também são avaliadas.