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Se ha realizado el cálculo computacional de los perfiles de pérdida de energía y de daños cuando se implantan los iones de galio y arsénico independientemente en el germanio amorfo durante la implantación de los iones. Las energías necesarias para el dopaje del ión galio y del ión arsénico en el germanio, con el fin de obtener el máximo daño a 600 Å, se calcularon utilizando el SRIM. Estas energías, cuando se implantan independientemente en el germanio, causan la producción de retrocesos de germanio, pares vacantes-intersticiales y fonones durante el proceso de colisión. Para el ión galio de 130 keV, la energía utilizada para la ionización, la producción de fonos y la creación de vacantes es de 37.713 keV (29,01%), 90.006 keV (64,29%) y 8,71 keV (6,7%) respectivamente, mientras que para el ión arsénico de 140 keV, el consumo de energía para la ionización, la producción de fonos y la creación de vacantes es de 39.634 keV (28,31%), 90.888 keV (64,92%) y 9.478 keV (6,77%) respectivamente. También se evalúa la cantidad de desplazamiento del objetivo, las colisiones de reemplazo y las vacantes.