Byli ustanovleny zakonomernosti formirovaniya dijelektricheskih, p'ezojelektricheskih svojstv tverdyh rastvorov n- komponentnyh sistem na osnove CTS s uchetom ih kristallohimicheskoj specifiki i razrabotany na osnove poluchennyh rezul'tatov jelektroaktivnye materialy dlya razlichnyh oblastej primenenij. Postroeny fazovye kartiny mnogokomponentnyh sistem na osnove CTS. Pokazano, chto pri detal'nom izuchenii n- komponentyh (n = 3..4) sistem tverdyh rastvorov obnaruzhivajutsya oblasti vnutri formirovaniya odnoj fazy, v kotoryh imeet mesto kachestvenno-kolichestvennoe razlichie v povedenii kristallograficheskih (parametry yachejki) i termodinamicheskih (otklik na vneshnie vozdejstviya - dijelektricheskaya pronicaemost', moduli uprugosti i t.d.) svojstv, a takzhe uchastki sosushhestvovaniya takih fazovyh sostoyanij, harakterizujushhiesya postoyanstvom strukturnyh parametrov. Privedeny jelektrofizicheskie parametry razrabotannyh n-komponentnyh materialov dlya razlichnyh oblastej primenenij, kotorye mogut byt' ispol'zovany, v chastnosti, v vysokovol'tnyh aktjuatorah lazernyh adaptivnyh sistem, kompensatorah vibracii oborudovaniya, priborah tochnogo pozicionirovaniya ob#ektov (mikrolitografiya, tunnel'nye rastrovye mikroskopy).
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.