Beschreibung
Produktdetails
Einband
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsdatum
28.11.2011
Abbildungen
schwarz-weiss Illustrationen, Tabellen, schwarz-weiss
Verlag
Taylor and FrancisSeitenzahl
250
Maße (L/B/H)
24/16,1/1,8 cm
Gewicht
543 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-1-4398-4959-0
Covering the physics, materials, devices, and fabrication processes for high-k gate dielectric materials, this text systematically describes how the fundamental electronic structures and other material properties of the transition and rare earth metals affect the electrical properties of the dielectric films, the dielectric/silicon and the dielectric/metal gate interfaces, and the resulting device properties. Specific topics include the problems and solutions encountered with high-k material thermal stability, defect density, and poor initial interface with silicon substrate. The text also addresses the essence of thin film deposition, etching, and process integration of high-k materials in an actual CMOS process.
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.
Kurze Frage zu unserer Seite
Vielen Dank für dein Feedback
Wir nutzen dein Feedback, um unsere Produktseiten zu verbessern. Bitte habe Verständnis, dass wir dir keine Rückmeldung geben können. Falls du Kontakt mit uns aufnehmen möchtest, kannst du dich aber gerne an unseren Kund*innenservice wenden.
zum Kundenservice