Poluprowodnik fosfid indiq imeet bol'shie perspektiwy shirokogo nauchno-tehnicheskogo ispol'zowaniq. Trawlenie fosfida indiq w ftorsoderzhaschih i hlorsoderzhaschih sredah whodit w arsenal metodow sowremennoj mikroälektroniki, pozwolqüschih formirowat' ob#ekty s ponizhennoj razmernost'ü. Poristyj InP obladaet razlichnymi fiziko-himicheskimi swojstwami: foto- i älektrolüminescencii, adsorbcionnoj chuwstwitel'nost'ü, swojstwami fotonnyh kristallow. Dlq prikladnyh celej neobhodima otrabotannaq, optimizirowannaq tehnologiq formirowaniq por-InP, a takzhe wyqwlenie fizicheskih zakonomernostej, kotorye obespechat poluchenie poristyh sloew s wosproizwodimymi harakteristikami. Monografiq poswqschena tehnologicheskim osnowam polucheniq poristogo InP metodom älektrohimicheskogo trawleniq fosfida indiq, izucheniü lüminescentnyh, strukturnyh i morfologicheskih swojstw poristyh sloew InP, wliqniü defektow na process poroobrazowaniq. Monografiq prednaznachena dlq specialistow, rabotaüschih w otrasli nanotehnologii, a takzhe dlq studentow wysshih uchebnyh zawedenij.