Andere Kunden interessierten sich auch für
![MeV-Elektronenbestrahlung von Si-Heterostrukturen]( "MeV-Elektronenbestrahlung von Si-Heterostrukturen")
MeV-Elektronenbestrahlung von Si-Heterostrukturen48,60 €![MeV-elektronenbestraling van Si heterostructuren]( "MeV-elektronenbestraling van Si heterostructuren")
MeV-elektronenbestraling van Si heterostructuren32,99 €![Irradiation électronique MeV des hétérostructures de Si]( "Irradiation électronique MeV des hétérostructures de Si")
Irradiation électronique MeV des hétérostructures de Si35,99 €![Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si]( "Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si")
Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si35,99 €![Irradiação de electrões MeV de Si heteroestruturas]( "Irradiação de electrões MeV de Si heteroestruturas")
Irradiação de electrões MeV de Si heteroestruturas32,99 €![MäV-obluchenie älektronami geterostruktur Si]( "MäV-obluchenie älektronami geterostruktur Si")
MäV-obluchenie älektronami geterostruktur Si23,99 €![MeV electron irradiation of Si heterostructures]( "MeV electron irradiation of Si heterostructures")
MeV electron irradiation of Si heterostructures44,99 €
Badano generowanie defektu radiacyjnego przez napromieniowanie elektronami MeV o wysokiej energii struktury n- i p- typu Si-SiO2 ró¿nymi rodzajami tlenków. Zmiany morfologiczne tlenku Si-SiO2 podczas napromieniania elektronami MeV obserwowano za pomoc¿ AFM. Przedstawiono zaimplantowane struktury Si-SiO2 z jonu Si+ przed i po näwietlaniu elektronami MeV. Redystrybucj¿ atomów tlenu i krzemu oraz generacj¿ nanokrysztäów Si podczas napromieniania elektronów MeV obserwowano odpowiednio za pomoc¿ technik RBS/C i AFM. Przeprowadzono równie¿ badania w¿äciwo¿ci optycznych, fotoluminescencji i spektroskopowe näwietlanych elektronami MeV folii SiOx.