Poluprowodnikowaq promyshlennost' stimuliruet razwitie nanotehnologij i poluchaet ot ätogo nemaluü wygodu. Kak predskazywaet zakon Mura, kolichestwo otdel'nyh nanokomponentow, takih kak tranzistory na chipe, prodolzhaet rasti, uwelichiwaq plotnost' funkcional'nyh älementow i tem samym powyshaq wychislitel'nuü moschnost'. Odnim iz moschnyh metodow kontroliruemogo proizwodstwa w nanometrowom masshtabe qwlqetsq obrabotka sfokusirowannym älektronnym puchkom (FEBIP). Pri ätom sfokusirowannyj älektronnyj puchok ispol'zuetsq dlq lokal'nogo izmeneniq swojstw podlozhki, chto pozwolqet izgotawliwat' nanostruktury proizwol'noj formy i kontroliruemogo himicheskogo sostawa. Naibolee chasto primenqemym i izwestnym metodom FEBIP qwlqetsq metod inducirowannogo osazhdeniq älektronnym puchkom (EBID), w kotorom opredelennye molekuly prekursorow lokal'no dissociiruütsq pod wozdejstwiem älektronnogo puchka, chto priwodit k osazhdeniü neletuchih fragmentow prekursorow. V ätoj knige byli prowedeny issledowaniq po izgotowleniü i primeneniü nanostruktury metodom EBID.