Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs

Mitarbeit: Schröder-Oeynhausen, Frank

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

Inhalt dieses Buches ist die detaillierte Charakterisierung der Oberfläche von GaAs-Halbleitern hinsichtlich oberflächennaher Verunreinigungen und passivierender Oxidschichten. Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen mit der Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS), das es möglich macht, Oberflächenbelegungen auf GaAs mit Konzentrationen kleiner 109 Atome/cm2 quantitativ nachzuweisen. Ein Vergleich passivierender Oxide hinsichtlich ihrer Komponenten, Schichtstruktur und Dicke liefert die Grundlagen für gezielte Änderungen des Herstellungsprozesses.

---

Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.

Produktdetails

• Verlag: Deutscher Universitätsverlag
• Artikelnr. des Verlages: 85006433, 978-3-8244-2091-9
• 1997
• Seitenzahl: 144
• Erscheinungstermin: 23. September 1997
• Deutsch
• Abmessung: 210mm x 148mm x 9mm
• Gewicht: 196g
• ISBN-13: 9783824420919
• ISBN-10: 3824420910
• Artikelnr.: 36794782

Autorenporträt

Dr. Frank Schröder-Oeynhausen studierte Physik an der Universität zu Köln und Betriebswirtschaft an der FernUniversität Hagen. Er ist Technologieberater beim VDI in Düsseldorf.

Inhaltsangabe

1 Einleitung.- 1.1 Technologischer Stellenwert von III-V-Halbleitern.- 1.2 Anforderungen an die Oberfläche von GaAs-Wafern.- 1.3 Ziel der Arbeit.- 2 Materialkunde.- 2.1 Galliumarsenid (GaAs).- 2.2 Herstellung von GaAs-Wafern.- 3 Verwendete oberflächenanalytische Methoden.- 3.1 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS).- 3.2 Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS).- 3.3 Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse (TXRF).- 3.4 Ellipsometrie.- 4 Quantitativer Nachweis von Metallverunreinigungen auf GaAs.- 4.1 Herstellung von Standards.- 4.2 Identifikation metallischer Spurenelemente.- 4.3 Tiefenanalyse metallischer Spurenelemente.- 4.4 Quantitative Analyse metallischer Spurenelemente.- 5 Charakterisierung passivierender Oberflächenoxide auf GaAs.- 5.1 Oxidationsmechanismen.- 5.2 Signaturdaten für XPS, TOF-SIMS und Ellipsometrie.- 5.3 GaAs-Oberflächen nach Oxidation an Umgebungsluft.- 5.4 GaAs-Oberflächen nach Oxidation unter UV/Ozon-Einfluß.- 5.5 Vergleich der Oxidationsmechanismen.- 6 Zusammenfassende Diskussion.- 7 Literaturverzeichnis.