Oberflächenemitter auf Basis von II-VI-Halbleitern - Otte, Kai
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Der Halbleitertechnoligie im Bereich der Lichtemitter kommt in den letzten Jahren ein immer wichtigere Bedeutung zu. Bei der Dateinspeicherung und Beleuchtung sind Leucht- und Laserdioden ein Schlüsselbaustein. Bei diesen hat sich die Klasse der Oberflächenemitter als besonders vorteilhaft erwiesen. Die breitlückigen Verbindungshalbleiter der zweiten und sechsten Hauptgruppe ermöglichen lichtemittierende Bauelemente im grünen Spektralbereich. In diesem Buch werden Konzepte für den elektrischen Betrieb von Oberflächenemittern im Wellenlängenbereich von 500 bis 550 nm vorgestelllt. Dies umfasst…mehr

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Produktbeschreibung
Der Halbleitertechnoligie im Bereich der Lichtemitter kommt in den letzten Jahren ein immer wichtigere Bedeutung zu. Bei der Dateinspeicherung und Beleuchtung sind Leucht- und Laserdioden ein Schlüsselbaustein. Bei diesen hat sich die Klasse der Oberflächenemitter als besonders vorteilhaft erwiesen. Die breitlückigen Verbindungshalbleiter der zweiten und sechsten Hauptgruppe ermöglichen lichtemittierende Bauelemente im grünen Spektralbereich. In diesem Buch werden Konzepte für den elektrischen Betrieb von Oberflächenemittern im Wellenlängenbereich von 500 bis 550 nm vorgestelllt. Dies umfasst neben dem Design und Wachstum der Strukturen auch die Kontaktierung und Prozessierung. Es werden verschiedene Bauformen von Leucht- und Laserdioden präsentiert. Neben komplett epitaktisch hergestellten Dioden werden auch Entwürfe mit dielektrischen Spiegeln erläutert. Ein Hauptaugenmerk liegt auf den hochreflektiven Bragg- Spiegeln, die für Oberflächenemitter benötigt werden, und wie diese in elektrisch betriebenen Bauelementen eingefügt werden können.
Autorenporträt
Studium der Physik an der Universität Bremen 1999 bis 2004 mit den Schwerpunkten Festkörperphysik und Umweltphysik. Diplomarbeit 2004 auf dem Gebiet der Molekularstrahlepitaxie. 2005 bis 2008 wissenschaftlicher Mitarbeiter am Institut für Festkörperphysik der Universität Bremen. 2009 Promotion im Breich der Halbleiterepitaxie.