Ontwerp en analyse van klasse-E PA: Een 4GHz-band voor mobiele toepassing - Abubakar, Nasiru
18,99 €
inkl. MwSt.

Versandfertig in über 4 Wochen
  • Broschiertes Buch

Ontwerp en analyse van klasse-E-vermogensversterker een 4GHz-band voor mobiele toepassing wordt geïntroduceerd. Dit werk ontwierp klasse-E-vermogensversterker met belastingsnetwerk en een enkele transistor zonder overmatige reactie op een hogere frequentie om de problemen op te lossen, zoals: Vermogensdissipatie in het actieve apparaat, Variatie in voedingsspanning en Inductantie beperking met behulp van Smalbandversterker ontwerp. Het model van Klasse-E eindversterker is ontworpen en gepresenteerd in dit onderzoekswerk. Het is succesvol gebleken door middel van verificatie in de…mehr

Andere Kunden interessierten sich auch für
Produktbeschreibung
Ontwerp en analyse van klasse-E-vermogensversterker een 4GHz-band voor mobiele toepassing wordt geïntroduceerd. Dit werk ontwierp klasse-E-vermogensversterker met belastingsnetwerk en een enkele transistor zonder overmatige reactie op een hogere frequentie om de problemen op te lossen, zoals: Vermogensdissipatie in het actieve apparaat, Variatie in voedingsspanning en Inductantie beperking met behulp van Smalbandversterker ontwerp. Het model van Klasse-E eindversterker is ontworpen en gepresenteerd in dit onderzoekswerk. Het is succesvol gebleken door middel van verificatie in de multisim-circuit simulator. Het afleiden van een expressie om de juiste optimale schakelconditie te verkrijgen is uitgevoerd om deze theorie correct te bewijzen. De berekening 100%, simulatie 98,42% en experimenteel 90,34% ontwerp van Klasse-E eindversterker met belastingsnetwerk en een enkele transistor werd uitgevoerd, het totale rendement werd bereikt, aangedreven met 1,8V dc. De versterker werd gebruikt bij een bandfrequentie van 4GHz en een 50% duty cycle voor een stabiel sinusoïdaal signaal. Daarom kan worden geconcludeerd dat de optimale werking alleen kan worden bereikt bij een optimale belastingsweerstand,R2= R1. Bij R2 = R1 zal de sinusoïdale uitgangsspanning bijna tot het maximum oplopen.
Autorenporträt
Iam Nasiru Abubakar de la zona de Gwadangaji Kabawa Birnin kebbi, Estado de Kebbi, Nigeria. Y actualmente es profesor del departamento de física de la Universidad Federal de Electrónica Birnin Kebbi.