Sreedharan Pillai, S: Optimisation of Grooved Gate MOSFETS f
-
- Englisch ausgewählt
59,00 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
20.06.2012
Verlag
LAP LAMBERT Academic PublishingSeitenzahl
128
Maße (L/B/H)
22/15/0,8 cm
Gewicht
209 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-659-13660-3
The short-channel and hot-carrier effects that arise when MOSFET devices are scaled down to very short channel lengths is a major topic of research in the area of VLSI technology. Grooved gate MOSFETS alleviate many of these. Here a systematic study of the major electrical characteristics of grooved gate device is done at gate lengths of 100 nm. An optimised process flow is presented to overcome two of its major drawbacks - higher gate-to-source/drain parasitic capacitance and lack of a self-aligned and integrated gate structure. The resulting device exhibits significantly enhanced characteristics. An analytical model for the gate-to-source/drain capacitance characteristics of the grooved gate device is then presented. It features an extrinsic capacitance model that incorporates the strong bias dependence of overlap capacitance and deals with the issues involved in optimisation and analysis of not only such novel device structures but source/drain engineered conventional planar devices also. This work should be especially useful to professionals and students in Microelectronics field who are engaged in processing, characterization and modelling of deep sub-micron VLSI devices.
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.
Kurze Frage zu unserer Seite
Vielen Dank für dein Feedback
Wir nutzen dein Feedback, um unsere Produktseiten zu verbessern. Bitte habe Verständnis, dass wir dir keine Rückmeldung geben können. Falls du Kontakt mit uns aufnehmen möchtest, kannst du dich aber gerne an unseren Kund*innenservice wenden.
zum Kundenservice