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El trabajo optimiza la potencia en SRAM de 4T,5T,6T,7T,8T,9T y 10T comparando sus configuraciones. Se proponen dos modos de operación: Modo I y Modo II. Se propone un circuito controlador de escritura SRAM de 10T y se comparan la potencia estática, la disipación de potencia estática y las métricas de rendimiento, como el producto de retardo de potencia y el producto de retardo de energía, utilizando TANNER 7.0. En el futuro, se implementará un circuito de trabajo lógico adiabático y se obtendrán resultados.

Produktbeschreibung
El trabajo optimiza la potencia en SRAM de 4T,5T,6T,7T,8T,9T y 10T comparando sus configuraciones. Se proponen dos modos de operación: Modo I y Modo II. Se propone un circuito controlador de escritura SRAM de 10T y se comparan la potencia estática, la disipación de potencia estática y las métricas de rendimiento, como el producto de retardo de potencia y el producto de retardo de energía, utilizando TANNER 7.0. En el futuro, se implementará un circuito de trabajo lógico adiabático y se obtendrán resultados.
Autorenporträt
Dr. Sundar Prakash Balaji erwarb seinen Doktortitel an der Anna University, Chennai. Er besitzt einen Bachelor- und einen Master-Abschluss der Anna-Universität, Chennai. Derzeit arbeitet er als außerordentlicher Professor am RVS Technical Campus - Coimbatore. Seine Interessen liegen in den Bereichen Low Power VLSI Design, ASIC Design und Solid State Devices.