Slozhnye neorganicheskie soedineniq w sistemah Ag-Ga(In)-Si(Ge)-S(Se) predstawlqüt soboj bol'shuü gruppu materialow, proqwlqüschih poluprowodnikowye swojstwa. Jeti materialy predstawlqüt znachitel'nyj interes w swqzi s ih potencial'nym primeneniem. Oni perspektiwny dlq optoälektroniki, fotowol'taiki, sensornoj tehniki, telekommunikacij i nelinejnoj optiki.Sintezirowany kristally sistemy Ag-Ga(In)-Si(Ge)-S(Se) s razlichnym kationno-anionnym sostawom. S primeneniem rqda sowremennyh metodow issledowaniq dlq poluchennyh materialow proweden analiz sostawa, opticheskih, fotoälektricheskih, nelinejno-opticheskih spektrow, a takzhe älektro- i p'ezoälektricheskih harakteristik i ih fotoinducirowannyh izmenenij. V monografii predstawleny rezul'taty komplexnogo äxperimental'nogo issledowaniq, w kotorom w sochetanii s perwoprincipnymi raschetami w ramkah teorii funkcionala plotnosti wyqsneny optoälektronnye i nelinejno-opticheskie osobennosti slozhnyh hal'kogenidnyh sistem Ag-Ga(In)-Si(Ge)-S(Se).