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Ce travail présente le développement d'un prototype d'oscillateur à micro-ondes à fréquence fixe, autour de 3 GHz, avec des lignes en microruban, utilisant un transistor bipolaire à haute fréquence et à faible bruit, à travers les paramètres de diffusion S, afin de soutenir les activités pratiques développées dans le laboratoire RF de l'Institut de recherche et de développement de l'Union européenne.Ce travail présente le développement d'un prototype d'oscillateur à micro-ondes à fréquence fixe, autour de 3 GHz, avec des lignes en microruban, utilisant un transistor bipolaire à haute fréquence et à faible bruit, à travers les paramètres de diffusion S, afin de soutenir les activités pratiques développées dans le laboratoire RF du cours d'ingénierie électrique de l'IFSUL. Des outils informatiques sont utilisés pour le développement d'équations pour la conversion des paramètres de diffusion, pour les calculs de l'adaptation d'impédance, pour la fabrication des lignes microruban et pour la polarisation du transistor. Enfin, deux prototypes sont construits et les résultats sont présentés. Les prototypes ont fonctionné correctement, mettant en évidence celui conçu à l'aide d'un outil de calcul.