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Die Untersuchung der elektrischen und der Lichtleitfähigkeit sowie der optischen Absorptionsspektren von Silizium, das mit verschiedenen Verunreinigungen dotiert ist, ist im Hinblick auf die Entwicklung vielversprechender Proben von Silizium-Fotozellen mit erweiterter spektraler Empfindlichkeit, insbesondere im Infrarotbereich, von besonderem Interesse. In dieser Arbeit werden die Ergebnisse von Untersuchungen der Spektren der Lichtleitfähigkeit sowie von elektrischen Messungen der Leerlaufspannung und des Kurzschlussstroms von einkristallinen Siliziumproben, die mit Mangan- und…mehr

Produktbeschreibung
Die Untersuchung der elektrischen und der Lichtleitfähigkeit sowie der optischen Absorptionsspektren von Silizium, das mit verschiedenen Verunreinigungen dotiert ist, ist im Hinblick auf die Entwicklung vielversprechender Proben von Silizium-Fotozellen mit erweiterter spektraler Empfindlichkeit, insbesondere im Infrarotbereich, von besonderem Interesse. In dieser Arbeit werden die Ergebnisse von Untersuchungen der Spektren der Lichtleitfähigkeit sowie von elektrischen Messungen der Leerlaufspannung und des Kurzschlussstroms von einkristallinen Siliziumproben, die mit Mangan- und Schwefelverunreinigungen legiert sind, mit schichtweiser Entfernung der Oberfläche vorgestellt. Es wird auch ein Überblick über verschiedene Ansätze zur Steigerung der Effizienz der Photokonversion gegeben. Das Buch dürfte für Forscher auf dem Gebiet der Festkörperphysik, Entwickler von Photozellen sowie für Studenten der Halbleiterphysik von Interesse sein.
Autorenporträt
Mavlyanov Abdulaziz Shavkatovich, PhD em Física e Matemática, Professor Associado no SE "Uzbek-Japanese Youth Innovation Centre" no TSTU.