41,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in über 4 Wochen
  • Broschiertes Buch

Przemys¿ mikroelektroniczny przeszed¿ do re¿imu Nanoskali, co pozwoli¿o na osi¿gni¿cie niskiego poboru mocy i wysokiej szybko¿ci prze¿¿czania w obwodach elektronicznych. Wed¿ug International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, dzisiejsza technologia osi¿gn¿¿a rozmiar elementu poni¿ej 10nm i zmierza w kierunku 5,6nm. W celu podtrzymania skalowania nie tylko konieczne jest opracowanie nowych architektur urz¿dze¿, ale mo¿e by¿ równie¿ wymagane zast¿pienie krzemu. Intel opracowä urz¿dzenia oparte na tranzystorach trójbramkowych o d¿ugo¿ci bramki 14nm. Wielobramkowe tranzystory FET i…mehr

Produktbeschreibung
Przemys¿ mikroelektroniczny przeszed¿ do re¿imu Nanoskali, co pozwoli¿o na osi¿gni¿cie niskiego poboru mocy i wysokiej szybko¿ci prze¿¿czania w obwodach elektronicznych. Wed¿ug International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, dzisiejsza technologia osi¿gn¿¿a rozmiar elementu poni¿ej 10nm i zmierza w kierunku 5,6nm. W celu podtrzymania skalowania nie tylko konieczne jest opracowanie nowych architektur urz¿dze¿, ale mo¿e by¿ równie¿ wymagane zast¿pienie krzemu. Intel opracowä urz¿dzenia oparte na tranzystorach trójbramkowych o d¿ugo¿ci bramki 14nm. Wielobramkowe tranzystory FET i struktury tranzystorowe Nanowire s¿ odpowiednie dla technologii poni¿ej w¿z¿a 14nm. Jednak pionowe nanodruty opracowane z materiäów z¿o¿onych III-V, tlenków o wysokim wspó¿czynniku¿ i metalowych bramek maj¿ lepsze osi¿gi.
Autorenporträt
Subha Subramaniam ha realizado una contribución única en los amplios desarrollos técnicos del campo de la nanoelectrónica. En más de 20 años de docencia, ha sido profesora asociada y ha impartido varias asignaturas en el campo de la electrónica. Actualmente está afiliada al Shah and Anchor Kutchhi Engineering College, Mumbai, INDIA.