Kompozity uglerod/uglerod (C/C) shiroko ispol'zuütsq w termostrukturnyh komponentah, osobenno w aärokosmicheskom sektore. Odnako uglerod obladaet nizkoj stojkost'ü w ablqcionnyh sredah, chto ogranichiwaet ego primenenie w sistemah teplowoj zaschity. Jeta problema mozhet byt' reshena putem zaschity kompozita passiwiruüschimi sloqmi na osnowe keramicheskih materialow s nizkoj kataliticheskoj äffektiwnost'ü w reakciqh s kislorodom i azotom pri wysokih temperaturah. V swqzi s ätim osnownoj cel'ü dannoj raboty qwlqetsq sintez tolstyh pokrytij s gradientom sostawa SiO2/SiC, nanesennyh na kompozity C/C s ispol'zowaniem nowogo processa, nazywaemogo wysokoskorostnym raspyleniem plazmy (HVSPS). Jeti pokrytiq obrazuütsq w rezul'tate reakcij mezhdu kompozitom C/C i kolloidnym rastworom Si(OH)4, raspylqemym swerhzwukowoj plazmennoj struej, generiruemoj fakelom postoqnnogo toka. Plazmennaq gorelka imeet konstrukciü, otlichnuü ot obychnyh gorelok, chto uwelichiwaet wremq wzaimodejstwiq s oblastqmi plazmy pri wysokih temperaturah.