V rabote izlozheny principy polucheniya novyh slozhnyh poluprovodnikovyh soedinenij tverdyh rastvorov novyh binarnyh soedinenij tipa AIIIBVI, s pomoshh'ju teorii psevdopotenciala byli rasschitany zonnye struktury trojnyh soedinenij TlInSe2, TlGaTe2, InGaSe2, TlInTe2, InGaTe2 i vyyavleno, chto ih valentnuju zonu mozhno razdelit' na tri podgruppy. Verhnyaya gruppa shirinoj ~4jeV, obyazana svoim proishozhdeniem p-sostoyaniyam TlI, TlII i hal'kogenidov. Analiz volnovyh funkcij valentnyh sostoyanij pokazyvaet, chto samaya nizhnyaya gruppa, okolo -12jeV, sostoyashhaya iz chetyreh zon svoim proishozhdeniem obyazana s- sostoyaniyam kationa. V zonnom spektre s-sostoyaniya hal'kogenidov i s-, d-sostoyaniya kationov III gruppy obrazujut otdel'nye gruppy. Sravnenie rasschitannyh rezul'tatov s imejushhimisya teoreticheskimi i jexperimental'nymi dannymi pokazyvaet udovletvoritel'noe soglasie, v tom chisle shiriny zapreshhennoj zony vysheukazannyh soedinenij.