Poröses Silizium
43,90 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 6-10 Tagen
  • Broschiertes Buch

In unserer Arbeit interessierten wir uns dafür, das Phänomen der Umwandlung von monokristallinen Siliziumschichten in nanostrukturiertes Silizium zu untersuchen. Mehrere poröse Siliziumproben wurden durch elektrochemische Anodisierung auf P-Typ Si(100)-Substraten und N-Typ Si(100)-Substraten hergestellt, wobei bestimmte experimentelle Parameter wie Stromstärke und Anodisierungsdauer sowie die Zusammensetzung des Elektrolyten variiert wurden. Zur Durchführung unserer Arbeit haben Wir die Eigenschaften der erzeugten Schichten durch verschiedene morphologische, strukturelle und optoelektronische…mehr

Andere Kunden interessierten sich auch für
Produktbeschreibung
In unserer Arbeit interessierten wir uns dafür, das Phänomen der Umwandlung von monokristallinen Siliziumschichten in nanostrukturiertes Silizium zu untersuchen. Mehrere poröse Siliziumproben wurden durch elektrochemische Anodisierung auf P-Typ Si(100)-Substraten und N-Typ Si(100)-Substraten hergestellt, wobei bestimmte experimentelle Parameter wie Stromstärke und Anodisierungsdauer sowie die Zusammensetzung des Elektrolyten variiert wurden. Zur Durchführung unserer Arbeit haben Wir die Eigenschaften der erzeugten Schichten durch verschiedene morphologische, strukturelle und optoelektronische Charakterisierungsmethoden charakterisiert: REM, , Photolumineszenz (PL), Infrarot (FTIR), ES-Ellipsometrie und Reflexionsmessung. Die Analyseergebnisse zeigten den Einfluss der Anodisierungsparameter, insbesondere der Stromstärke und der Anodisierungsdauer. Die Berechnung der Porosität der nanostrukturierten Schichten ergab eine Variation der Porosität zwischen 45 und 80%. Durch eine sorgfältige Auswahl der experimentellen Parameter ist es möglich, die Größe der Nanostrukturen und die Porosität der hergestellten Proben zu kontrollieren.
Autorenporträt
RAHMOUNI SALAH é um professor da classe "A", e chefe de departamento na ENSET de Skikda. Licenciado pela ENSET especializado em electrónica, detentor de um magister e depois doutorado em electrónica, materiais opcionais e componentes da Universidade de Skikda, depois a Universidade de Habilitação (HDR) em engenharia eléctrica da Universidade de Guelma.