13,99 €
inkl. MwSt.

Versandfertig in 6-10 Tagen
  • Broschiertes Buch

Zarqzhennye chasticy mogut wyzwat' neblagopriqtnoe wozdejstwie na kosmicheskie apparaty i älektronnye komponenty. Radiacionnye äffekty ot chastic wysokoj änergii wyzywaüt zarqdku powerhnosti kosmicheskogo apparata, degradaciü ili neobratimyj otkaz älektronnyh komponentow i podsistem w rezul'tate odnokratnogo wozdejstwiq, powrezhdeniq ot smescheniq i äffekty ioniziruüschej dozy w kosmicheskom apparate. Jeffekty ionno-inducirowannyh perehodnyh processow zarqda mozhno razdelit' na osnownye tri kategorii: Polnaq ioniziruüschaq doza (TID), linejnaq peredacha änergii (LET) i odnokratnoe powrezhdenie…mehr

Produktbeschreibung
Zarqzhennye chasticy mogut wyzwat' neblagopriqtnoe wozdejstwie na kosmicheskie apparaty i älektronnye komponenty. Radiacionnye äffekty ot chastic wysokoj änergii wyzywaüt zarqdku powerhnosti kosmicheskogo apparata, degradaciü ili neobratimyj otkaz älektronnyh komponentow i podsistem w rezul'tate odnokratnogo wozdejstwiq, powrezhdeniq ot smescheniq i äffekty ioniziruüschej dozy w kosmicheskom apparate. Jeffekty ionno-inducirowannyh perehodnyh processow zarqda mozhno razdelit' na osnownye tri kategorii: Polnaq ioniziruüschaq doza (TID), linejnaq peredacha änergii (LET) i odnokratnoe powrezhdenie (SEU). Jeffekt TID - äto nakoplenie ioniziruüschej änergii, osedaüschej w techenie dlitel'nogo perioda wremeni na poluprowodnikowyh materialah. TID proishodit w osnownom iz-za älektronow i protonow, kotorye mogut priwesti k otkazu ustrojstwa. Obschaq poterq ili peredacha änergii materialu na edinicu rasstoqniq prohozhdeniq cherez material nazywaetsq LET Jelektronnye ustrojstwa mogut byt' narusheny prohozhdeniem änergichnyh älektronow, protonow ili bolee tqzhelyh ionow, kotorye mogut izmenit' sostoqnie shemy, sozdawaq "äffekty edinichnogo sobytiq". SEU i mnogobitowye narusheniq (MBU), kotorye izmenqüt logicheskoe sostoqnie wnutrennih uzlow shemy. Ono mozhet byt' sbrosheno razlichnymi älektricheskimi operaciqmi.
Autorenporträt
Kejur Mahant rodilsq w Kambae, Indiq, 2 awgusta 1986 goda. V 2008 godu on poluchil stepen' bakalawra tehnicheskih nauk po älektronike i swqzi w Kolledzhe inzhenerii i tehnologii C U Shah, Indiq. V 2011 godu on takzhe poluchil stepen' magistra tehnicheskih nauk w oblasti kommunikacionnyh sistem w uniwersitete CHARUSAT, Indiq. V nastoqschee wremq on zaschischaet doktorskuü dissertaciü w oblasti radiochastot i mikrowoln.