Progettazione, caratterizzazione e valutazione di OTFT per l'uso in e-NOSE - Eirez Izquierdo, José Enrique
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In questo lavoro, un transistor organico a film sottile (OTFT) con struttura bottom gate - bottom contact (BGBC) su vetro, con dielettrico organico e semiconduttore, è stato fabbricato per utilizzarlo come sensore di gas nella rilevazione dell'isoborneolo (IB) in acqua. Nessun BGBC OTFTs fabbricato su substrato di vetro con poli (4-vinilfenolo) (PVP) dielettrico e poli (2,5-bis(3-tetradecyl-thiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene) (PBTTT-C14) semiconduttore come un sensore di gas per la rilevazione IB sono stati trovati nella letteratura consultata. I polimeri coniugati, come il derivato del…mehr

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Produktbeschreibung
In questo lavoro, un transistor organico a film sottile (OTFT) con struttura bottom gate - bottom contact (BGBC) su vetro, con dielettrico organico e semiconduttore, è stato fabbricato per utilizzarlo come sensore di gas nella rilevazione dell'isoborneolo (IB) in acqua. Nessun BGBC OTFTs fabbricato su substrato di vetro con poli (4-vinilfenolo) (PVP) dielettrico e poli (2,5-bis(3-tetradecyl-thiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene) (PBTTT-C14) semiconduttore come un sensore di gas per la rilevazione IB sono stati trovati nella letteratura consultata. I polimeri coniugati, come il derivato del politiofene PBTTT-C14, mostrano proprietà elettriche semiconduttrici. Grazie alle dimensioni della catena principale di questo materiale e al suo impilamento compatto e organizzato quando è in un film, è possibile ottenere strutture note come terrazze. La presenza di queste strutture comporta una migliore prestazione elettrica dei dispositivi fabbricati con questo semiconduttore organico. Le soluzioni del dielettrico organico PVP reticolato e del semiconduttore organico PBTTT-C14 sono state depositate mediante spin coating. Un sistema che integra questi sensori potrebbe essere utile nel monitoraggio in tempo reale della qualità dell'acqua.
Autorenporträt
Imeet stepen' po awtomatizacii (2008) i stepen' magistra (2011) w Gawane, Kuba. On imeet opyt raboty s processami mikroälektroniki, spinowym i lezwijnym osazhdeniem, tonkoplenochnymi organicheskimi tranzistorami (OTFTs), gazowymi datchikami i atomno-silowoj mikroskopiej. Poluchil doktorskuü stepen' (2021) w EPUSP u professora d-ra Fernando Zhozepetti Fonseka.