Progettazione e analisi della PA di Classe E: Una banda a 4GHz per applicazioni mobili - Abubakar, Nasiru
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Progettazione ed analisi di un amplificatore di potenza in classe E viene introdotta una banda di 4GHz per applicazioni mobili. Questo lavoro ha progettato un amplificatore di potenza in classe E con rete di carico e un singolo transistor senza eccessiva reattanza ad alta frequenza per risolvere i problemi come ad esempio: Dissipazione di potenza nel dispositivo attivo, Variazione della tensione di alimentazione e vincolo di induttanza utilizzando il progetto di amplificatore a banda stretta. Il modello di amplificatore di potenza in classe E è stato progettato e presentato in questo lavoro di…mehr

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Produktbeschreibung
Progettazione ed analisi di un amplificatore di potenza in classe E viene introdotta una banda di 4GHz per applicazioni mobili. Questo lavoro ha progettato un amplificatore di potenza in classe E con rete di carico e un singolo transistor senza eccessiva reattanza ad alta frequenza per risolvere i problemi come ad esempio: Dissipazione di potenza nel dispositivo attivo, Variazione della tensione di alimentazione e vincolo di induttanza utilizzando il progetto di amplificatore a banda stretta. Il modello di amplificatore di potenza in classe E è stato progettato e presentato in questo lavoro di ricerca. È stato dimostrato il suo successo attraverso la verifica nel simulatore di circuito multisim. Per dimostrare la correttezza di questa teoria è stata effettuata la derivazione di un'espressione per ottenere la corretta condizione di commutazione ottimale. È stato effettuato il calcolo al 100%, la simulazione al 98,42% e la progettazione sperimentale al 90,34% dell'amplificatore di potenza in Classe E con rete di carico e un singolo transistor, l'efficienza complessiva è stata raggiunta, alimentato con 1,8V dc. L'amplificatore è stato fatto funzionare alla frequenza di banda di 4GHz e al 50% del ciclo di funzionamento per un segnale sinusoidale stabile, pertanto si può concludere che il funzionamento ottimale può essere raggiunto solo con una resistenza di carico ottimale, R2= R1. a R2 = R1 la tensione di uscita sinusoidale raggiungerà quasi al massimo.
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Autorenporträt
Iam Nasiru Abubakar de la zona de Gwadangaji Kabawa Birnin kebbi, Estado de Kebbi, Nigeria. Y actualmente es profesor del departamento de física de la Universidad Federal de Electrónica Birnin Kebbi.