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Los semiconductores magnéticos diluidos (DMS), definidos como semiconductores diamagnéticos dopados con pocos porcentajes atómicos de iones metálicos con electrones "d" no apareados, se han convertido en uno de los campos emergentes de la electrónica a nanoescala y la física de la materia condensada en los últimos años. El dopaje de iones de metales de transición en un sistema semiconductor no magnético no sólo induce el ferromagnetismo sino que también mantiene su propiedad semiconductora. Se supone que la interacción magnética entre las impurezas magnéticas está mediada por portadores de carga. El material DMS basado en ZnO presenta un comportamiento notable debido a su amplio bandgap, su alta conductividad eléctrica, su transparencia óptica, la presencia de vacantes de oxígeno nativas y su alta estabilidad química y térmica. Ha suscitado un enorme interés entre la comunidad científica debido a su amplia aplicación en células fotovoltaicas, pantallas de cristal líquido, sensores de gas, resistencias de película fina, dispositivos optoelectrónicos y revestimientos conductores transparentes.
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