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Dans les semi-conducteurs, deux propriétés de base, à savoir la lacune énergétique et l'indice de réfraction, déterminent principalement leur fonctionnement optique et électronique. L'indice de réfraction d'un matériau diminue généralement avec l'augmentation de l'écart énergétique, ce qui favorise une relation sous-jacente entre ces deux quantités fondamentales. De nombreuses tentatives ont été faites pour corréler ces deux quantités avec une relation empirique ou semi-empirique appropriée. L'indice de réfraction et la bande interdite des semi-conducteurs représentent deux aspects physiques fondamentaux qui caractérisent leurs propriétés optiques et électroniques. Dans le présent travail, j'ai étudié certaines des propriétés optiques et électroniques des semi-conducteurs du groupe II-VI. Les composés II-VI sont largement utilisés dans les détecteurs infrarouges, les transistors bipolaires ultra rapides, les communications par fibre optique et les dispositifs micro-ondes avancés. Ces matériaux possèdent la bande interdite directe appropriée pour produire des diodes électroluminescentes et des lasers de longueur d'onde bleue à rouge. Ces matériaux sont caractérisés par différents degrés d'ionicité qui les rendent aptes à un couplage électro-optique et électromécanique élevé. Les semi-conducteurs II-VI à large bande interdite sont utilisés dans les dispositifs optoélectroniques.