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La monographie est consacrée à l'étude de l'influence des ions impuretés Pb2+, Pb2+ et Pb4+ paire, Bi3+, Pt4+ sur l'absorption optique et la luminescence des films épitaxiaux de grenat de gallium cultivés sur des substrats de grenat de gadolinium gallium avec orientation (111) par épitaxie en phase liquide. Des données expérimentales sur l'absorption optique des ions d'impureté dans les films épitaxiaux cultivés sont décrites, représentant la base pour une synthèse plus poussée de nouveaux films optiquement actifs utilisés comme luminophores, portes passives et lasers à disque mince. Il a été démontré que les ions d'impureté Pb2+ dans les films de grenat de gadolinium gallium dopé au néodyme épitaxial n'influencent pas de manière significative la luminescence des ions Nd3+. Les conditions optimales pour la synthèse de films de grenat de gadolinium gallium contenant du cobalt à partir de solutions thermofusibles à base de PbO - B2O3 et Bi2O3 - B2O3 sont déterminées, et l'absorption optique des ions Co3+ et Co2+ est étudiée. Cette monographie sera utile aux scientifiques engagés dans la croissance des films de grenat par épitaxie en phase liquide, ainsi qu'aux étudiants de premier et de deuxième cycle en physique de la matière condensée.